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BD809G Especificações técnicas
TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 90W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 1.5MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA (ICBO) |
BD809G Documentos
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-
Folhas de dados
BD809G.pdf
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
BD809G | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos |
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