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EMG2DXV5T5
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EMG2DXV5T5 Especificações técnicas
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | SOT-553 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
EMG2DXV5T5 Documentos
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Folhas de dados
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Outros incluem "EMG2D" peças
As seguintes peças incluem 'EMG2D'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
EMG2DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2748 |
EMG2DXV5T1 | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
EMG2DXV5T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de Transistores BJT | |
EMG2DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 3197 |
EMG2DXV5T1G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
EMG2DXV5T5 | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
EMG2DXV5T5 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de Transistores BJT | |
EMG2DXV5T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2780 |
EMG2DXV5T5G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT |
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