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EMZ1DXV6T1G Especificações técnicas

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-563
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 180MHz, 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
EMZ1DXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 4684
EMZ1DXV6T1 ON Semiconductor Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T1 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T1G ON Semiconductor Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T1G Rochester Electronics, LLC Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2654
EMZ1DXV6T5 ON Semiconductor Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T5 Rochester Electronics, LLC Arrays BJT Transistores
EMZ1DXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2654
EMZ1DXV6T5G ON Semiconductor Arrays BJT Transistores

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