FQP55N10 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 155W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 11 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 55A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 27.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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FQP55N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 36638
FQP55N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 5213
FQP55N10 ON Semiconductor Transistores MOSFET Únicos
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FQP55NF06 Fairchild/ON Semiconductor ICs Quentes Especializados 821

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