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HN2D02FUTW1T1G
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HN2D02FUTW1T1G Especificações técnicas
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Reverse Recovery Time (trr) | 3ns |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Configuration | 3 Independent |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA (DC) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 75V |
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-
Folhas de dados
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Outros incluem "HN2D0" peças
As seguintes peças incluem 'HN2D0'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
HN2D01F | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 4963 |
HN2D01F TE85L | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3264 |
HN2D01F(TE85L) | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 2778 |
HN2D01F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ICs Quentes Especializados | 5815 |
HN2D01F(TE85R) | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3400 |
HN2D01FTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Diodos - Retificadores - Matrizes | 2570 |
HN2D01FTE85R | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 15000 |
HN2D01FU | TOS | ICs Quentes Especializados | 1748 |
HN2D01FU TE85L | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3317 |
HN2D01FU(T5L ,PP ,E) | Toshiba Semiconductor and Storage | ICs Quentes Especializados | 6000 |
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