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MMBT3416LT3G Especificações técnicas

TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
MMBT3055VLT4G ON ICs Quentes Especializados 8000
MMBT3416 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 3429
MMBT3416 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 18374
MMBT3416 ON Semiconductor Transistores BJT Únicos
MMBT3416 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Únicos
MMBT3416LT1G ON ICs Quentes Especializados 3413
MMBT3416LT3 M0T ICs Quentes Especializados 10408
MMBT3416LT3 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Únicos
MMBT3416LT3G ON Semiconductor Transistores BJT Únicos
MMBT35200 ON ICs Quentes Especializados 3200

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