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NTD6415AN-1G Especificações técnicas

MOSFET N-CH 100V 23A IPAK

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 23A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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