NTHD3100CT1 Especificações técnicas

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package ChipFET™
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 3.2A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
NTHD3100CT1 ON Semiconductor Arrays de Transistores MOSFETs
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