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NE3514S02-A Especificações técnicas
HJ-FET NCH 10DB S02
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Test | 2V |
Transistor Type | HFET |
Power - Output | - |
Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
Gain | 10dB |
Current Rating | 70mA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Rated | 4V |
Supplier Device Package | S02 |
Packaging | Bulk |
Noise Figure | 0.75dB |
Frequency | 20GHz |
Current - Test | 10mA |
NE3514S02-A Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para NE3514S02-A
-
Folhas de dados
1.NE3514S02-A.pdf 2.NE3514S02-A.pdf
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As seguintes peças incluem 'NE351'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
NE3510M04-07-T2 | Renesas Electronics America | ICs Quentes Especializados | 38080 |
NE3510M04-07-T2 IC | Renesas Electronics America | ICs Quentes Especializados | 38017 |
NE3510M04-07-T2-A IC | Renesas Electronics America | ICs Quentes Especializados | 60451 |
NE3510M04-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2714 |
NE3510M04-A | CEL | Transistores RF MOSFETs | |
NE3510M04-T2-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 8095 |
NE3510M04-T2-A | Rochester Electronics, LLC | Transistores RF MOSFETs | |
NE3510M04-T2-A | CEL | Transistores RF MOSFETs | |
NE3511S02-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2583 |
NE3511S02-A | CEL | Transistores RF MOSFETs |
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