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S34MS01G104BHB010
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S34MS01G104BHB010 Especificações técnicas
IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (CIs) / Memória |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | FLASH - NAND |
Series | MS-1 |
Package / Case | 63-VFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Supplier Device Package | 63-BGA (11x9) |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 1Gb (64M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) |
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Folhas de dados
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Outros incluem "S34MS" peças
As seguintes peças incluem 'S34MS'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
S34MS01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Memória | 2589 |
S34MS01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | Memória | 2739 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | Memória | 5313 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Memória | |
S34MS01G100BHI003 | Cypress Semiconductor | Memória | 5470 |
S34MS01G100BHI900 | Cypress Semiconductor | Memória | 2693 |
S34MS01G104BHB013 | Cypress Semiconductor | Memória | 2704 |
S34MS01G104BHB080 | Cypress Semiconductor | Memória | 2771 |
S34MS01G104BHI010 | Cypress Semiconductor | Memória | 2529 |
S34MS01G104BHI010 | Cypress Semiconductor Corp | Memória |
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