DDTA124TKA-7-F Especificações técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package SC-59-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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DDTA113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2607
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DDTA113TKA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2901
DDTA113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2617
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DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 1270
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