DDTC113TKA-7-F Especificações técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SC-59-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DDTC113TKA-7-F Documentos

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Outros incluem   "DDTC1"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
DDTC113TCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2731
DDTC113TCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 3615
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2539
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 18000
DDTC113TLP-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 31482
DDTC113TUA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2566
DDTC113TUA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 15369
DDTC113ZCA-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2736
DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 1498
DDTC113ZE-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2718

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