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DMN67D8LW-7 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 60V SOT323

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-323
Power Dissipation (Max) 320mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240mA (Ta)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
DMN67D7L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2768
DMN67D7L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Único 0
DMN67D8L-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2660
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Único 3429
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 2605
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 129000
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2701

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