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SI1900DL-T1-GE3
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SI1900DL-T1-GE3 Especificações técnicas
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 300mW, 270mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-70-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 33 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 630mA (Ta), 590mA (Ta) 300mW, 270mW Surface Mount SC-70-6 |
SI1900DL-T1-GE3 Documentos
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Folhas de dados
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Outros incluem "SI190" peças
As seguintes peças incluem 'SI190'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SI19002CSU | SILICON | ICs Quentes Especializados | 2639 |
SI1900DL | VISHAY | ICs Quentes Especializados | 676 |
SI1900DL-T1 | VISHAY | ICs Quentes Especializados | 2338 |
SI1900DL-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 17539 |
SI1900DL-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 7312 |
SI1900DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs | |
Si1900DL-T1-GE3 | VISHAY | ICs Quentes Especializados | 4719 |
SI1900DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs | |
SI1900DL-T1-GE3 MOS | VBSEMI | ICs Quentes Especializados | 17952 |
SI19011CLU | SILICON | ICs Quentes Especializados | 7800 |
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