SI2314EDS-T1-E3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI2314EDS-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.77A (Ta)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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