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SI3458BDV-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3458BDV-T1-GE3-ND SI3458BDV-T1-GE3TR SI3458BDVT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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SI3451DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 3429
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SI3452-B01-GM Silicon Labs Controladores PoE
SI3452-B01-IM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Controladores de Power Over Ethernet (PoE) 2660
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SI3458BDV-T1-GE3 fabricantes de marcas: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip estoque, SI3458BDV-T1-GE3 Preço de referência. SI3458BDV-T1-GE3 parâmetros, SI3458BDV-T1-GE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SI3458BDV-T1-GE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SI3458BDV-T1-GE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SI3458BDV-T1-GE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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