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SI4834BDY-T1-E3
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SI4834BDY-T1-E3 Especificações técnicas
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI4834BDY-T1-E3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Base Part Number | SI4834 |
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Folhas de dados
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SI4830-A10-GU | SILICON | ICs Quentes Especializados | 8500 |
SI4830-A10-GUR | SILICON | ICs Quentes Especializados | 2986 |
SI4830-A20-GU | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 3000 |
SI4830-A20-GU | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4830-A20-GUR | SILICOM | ICs Quentes Especializados | 7238 |
SI4830-AOB-GU | SILICON | ICs Quentes Especializados | 2577 |
SI4830ADY | SI | ICs Quentes Especializados | 521 |
SI4830ADY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 44816 |
SI4830ADY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes | 7047 |
SI4830ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Arrays de Transistores MOSFETs |
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