SI7434DP-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 250V 2.3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7434DP-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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