SI7962DP-T1-E3 Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.4W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Base Part Number SI7962
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 11.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7962DP-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.1A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SI7960 Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 427
SI7960DP SI ICs Quentes Especializados 602
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