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SIA462DJ-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA462DJ-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET Únicos
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SIA462DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 24244
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SIA466EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2720
SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2748
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