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SIHB22N60EL-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 197 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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