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SIR112DP-T1-RE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CHAN 40V

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4270pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.96 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIR112DP-T1-RE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.6A (Ta), 133A (Tc)
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SIR11-21C/TR8 EVERLIGHT ICs Quentes Especializados 12440

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SIR112DP-T1-RE3 fabricantes de marcas: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip estoque, SIR112DP-T1-RE3 Preço de referência. SIR112DP-T1-RE3 parâmetros, SIR112DP-T1-RE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SIR112DP-T1-RE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SIR112DP-T1-RE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SIR112DP-T1-RE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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