SQM120N04-1M9_GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8790pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQM120N04-1M9-GE3 SQM120N04-1M9-GE3-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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