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FQA13N80 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 6.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.6A (Tc)
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