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FQPF8N80C Especificações técnicas

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 59W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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FQPF85N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 76058
FQPF8N60 FAI ICs Quentes Especializados 42772
FQPF8N60C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 67385
FQPF8N60C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 1457
FQPF8N60C ON Semiconductor Transistores MOSFET Únicos
FQPF8N60C MOS Fairchild/ON Semiconductor ICs Quentes Especializados 1082
FQPF8N60CF FAIRCHILD ICs Quentes Especializados 32899
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