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HGT1S10N120BNST Especificações técnicas

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - IGBTs - Único
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Único 3181
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