IRLM210ATF Especificações técnicas

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223-4
Power Dissipation (Max) 1.8W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 770mA (Ta)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 390mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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