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KSB1149YS Especificações técnicas

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.3W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 4000 @ 1.5A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
KSB1116 FSC ICs Quentes Especializados 5363
KSB1116A-Y FAIRCHILD ICs Quentes Especializados 4500
KSB1116AGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 2623
KSB1116AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 2550
KSB1116AGBU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Únicos
KSB1116AGBU ON Semiconductor Transistores BJT Únicos
KSB1116AGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 2414
KSB1116AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único 3048
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