70T651S10BFG Especificações técnicas

IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

Atributo do produto Valor do atributo
Category Circuitos Integrados (CIs) / Memória
Manufacturer IDT (Integrated Device Technology)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 10ns
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous
Packaging Tray
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 9Mb (256K x 36)
Memory Format SRAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 10ns
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.4 V ~ 2.6 V
Supplier Device Package 208-FPBGA (15x15)
Package / Case 208-LFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Detailed Description SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 10ns 208-FPBGA (15x15)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
70T651S10BC IDT (Integrated Device Technology) Memória 2622
70T651S10BC8 IDT (Integrated Device Technology) Memória 2751
70T651S10BCI IDT (Integrated Device Technology) Memória 2654
70T651S10BCI8 IDT (Integrated Device Technology) Memória 2674
70T651S10BF IDT (Integrated Device Technology) Memória 2592
70T651S10BF8 IDT (Integrated Device Technology) Memória 2776
70T651S10BFGI IDT (Integrated Device Technology) Memória 2513
70T651S10BFGI8 IDT (Integrated Device Technology) Memória 2581
70T651S10BFI IDT (Integrated Device Technology) Memória 2647
70T651S10BFI8 IDT (Integrated Device Technology) Memória 2712

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