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IS43R86400E-6BL Especificações técnicas

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Atributo do produto Valor do atributo
Category Circuitos Integrados (CIs) / Memória
Manufacturer ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - DDR
Packaging Tray
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
Access Time 700ps
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.3 V ~ 2.7 V
Supplier Device Package 60-TFBGA (13x8)
Package / Case 60-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 166MHz
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IS43R16160B ISSI ICs Quentes Especializados 669
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IS43R16160B-5TL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ICs Quentes Especializados 70
IS43R16160B-5TL IC ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ICs Quentes Especializados 519
IS43R16160B-5TL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memória 2601
IS43R16160B-5TLI ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memória 5344
IS43R16160B-5TLI IC ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ICs Quentes Especializados 1062
IS43R16160B-5TLI-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memória 2796
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