IXFT60N65X2HV Especificações técnicas

MOSFET N-CH

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 780W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-268HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 30A, 10V
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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