IXTP05N100P Especificações técnicas

MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 196pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IXTP01N100D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 862
IXTP02N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 3432
IXTP02N50D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 5005
IXTP05N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2711
IXTP05N100M IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2619
IXTP06N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 3432
IXTP08N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 3789
IXTP08N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 4543
IXTP08N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2772
IXTP08N50D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 10259

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