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IXTP10P50P Especificações técnicas

MOSFET P-CH 500V 10A TO-220

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarP™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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IXTP102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 6300
IXTP10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 12888
IXTP10N60PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2576
IXTP10P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 4784
IXTP110N055P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 14888
IXTP110N055T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 31968
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