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IXTY4N65X2 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IXTY44N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 552
IXTY48P05T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 18500
IXTY4N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2567

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