BFS17WH6393XTSA1 Especificações técnicas

RF TRANS NPN SOT323-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Power - Max 280mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
Noise Figure (dB Typ @ f) 3.5dB @ 800MHz
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequency - Transition 1.4GHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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BFS17 /APN MSV ICs Quentes Especializados 2345
BFS17 IC NXP Semiconductors / Freescale ICs Quentes Especializados 30374
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BFS17 TR PHILIPS ICs Quentes Especializados 1367
BFS17,215 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2705
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