BSD816SNH6327XTSA1 Especificações técnicas

Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Turn On Delay Time 5.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160m Ω @ 1.4A, 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 2.5V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Height 800μm
Width 1.25mm
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 0.95V @ 3.7μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A Ta
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±8V
Continuous Drain Current (ID) 1.4A
Max Dual Supply Voltage 20V
Length 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Outros incluem   "BSD81"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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