BSM30GD60DLCBOSA1 Especificações técnicas

IGBT MODULE 600V 40A 135W

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Módulos IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 17
Terminal Position UPPER
Pin Count 17
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X17
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 135W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 39 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 103 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.3nF @ 25V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
BSM3000GB120DLC NO ICs Quentes Especializados 2890
BSM300B170DN2 SIEMENS Módulos IGBT 2669
BSM300D12P2E001 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 2527
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BSM300D12P3E005 ROHM Semiconductor Arrays de Transistores MOSFETs
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