BSZ0902NSATMA1 Especificações técnicas

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 48W Tc
Turn On Delay Time 4.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 40A Tc
Rise Time 5.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage 2V
Max Dual Supply Voltage 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation 2.1W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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