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IHW20N120R2 Especificações técnicas

IHW20N120R2 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / IGBTs Individuais
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation 330W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
JEDEC-95 Code TO-247AD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 20A
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1.2mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.4V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 330W
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 20A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Test Condition 600V, 20A, 15 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 526 ns
Gate Charge 143nC
Td (on/off) @ 25°C -/359ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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Outros incluem   "IHW20"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IHW20N120R INTER ICs Quentes Especializados 2115
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