IPA80R360P7XKSA1 Especificações técnicas

INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - MOSFET, N-CH, 800V, 13A, TO-220FP

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 30W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.36Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 34A
Avalanche Energy Rating (Eas) 34 mJ
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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