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IPB057N06NATMA1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3W Ta 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 45A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Ta 45A Tc
Rise Time 12ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0057Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 36μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 45A
Max Dual Supply Voltage 60V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Outros incluem   "IPB05"   peças

As seguintes peças incluem  'IPB05' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
ipb050n06n International Rectifier (Infineon Technologies) ICs Quentes Especializados 18291
IPB050N06N G INFINEON ICs Quentes Especializados 21304
IPB050N06NG I ICs Quentes Especializados 22447
IPB050N06NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2691
IPB050N06NGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET Únicos
IPB051NE8N G INFINEON ICs Quentes Especializados 23024
IPB051NE8NG INFINEO ICs Quentes Especializados 1481
IPB051NE8NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) ICs Quentes Especializados 1331
IPB051NE8NG(051NE8N) INFINEO ICs Quentes Especializados 2511
IPB052N04N G Infineo ICs Quentes Especializados 18500

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