IPI50R350CP Especificações técnicas

MOSFET N-CH 550V 10A TO-262

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 89W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350m Ω @ 5.6A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Threshold Voltage 3V
Max Dual Supply Voltage 500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22A
Avalanche Energy Rating (Eas) 246 mJ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 89W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 35 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 370μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Dual Supply Voltage 550V
Nominal Vgs 3 V
RoHS Status RoHS Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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