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IPI70N04S307AKSA1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 70A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 80A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 70A
Avalanche Energy Rating (Eas) 145 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 79W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 40V
Drain-source On Resistance-Max 0.0071Ohm
RoHS Status RoHS Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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