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IPP023N10N5AKSA1 Especificações técnicas

IPP023N10N5AKSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 33 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 270μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 6.000006g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 77 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 979 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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