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IRF3709ZSPBF Especificações técnicas

IRF3709ZSPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 87A
Power Dissipation-Max 79W Tc
Power Dissipation 79mW
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 87A Tc
Rise Time 41ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 87A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 2.13nF
Drain to Source Resistance 6.3mOhm
Nominal Vgs 2.25 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Resistance 6.3MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2130pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage 2.25V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 24 ns
Rds On Max 6.3 mΩ
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF3709ZSPBF Documentos

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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