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IRF6716MTRPBF Especificações técnicas

MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 78W Tc
Power Dissipation 78W
Turn On Delay Time 26 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A Ta 180A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage 1.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 180A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 330 mJ
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 39A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0016Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 320A
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
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IRF6716MTRPBF Documentos

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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