IRF9910PBF Especificações técnicas

IRF9910PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 10A
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 7.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF9910PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A 12A
Rise Time 14ns
Turn-Off Delay Time 15 ns
Threshold Voltage 2.55V
Drain-source On Resistance-Max 0.0093Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.55 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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IRF9910 Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
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