IRFB3307PBF Especificações técnicas

IRFB3307PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 6.3MOhm
Voltage - Rated DC 75V
Current Rating 130A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 26 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A Tc
Rise Time 120ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Avalanche Energy Rating (Eas) 270 mJ
Height 4.82mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Lead Pitch 2.54mm
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 63 ns
Continuous Drain Current (ID) 130A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Dual Supply Voltage 75V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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