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IRFB3307PBF Especificações técnicas
IRFB3307PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 6.3MOhm |
Voltage - Rated DC | 75V |
Current Rating | 130A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 26 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A Tc |
Rise Time | 120ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 270 mJ |
Height | 4.82mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Lead Pitch | 2.54mm |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 63 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 130A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.6426mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFB3307PBF Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para IRFB3307PBF
-
Folhas de dados
Outros incluem "IRFB3" peças
As seguintes peças incluem 'IRFB3'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
IRFB3004 | IR | ICs Quentes Especializados | 25367 |
IRFB3004G | IR | ICs Quentes Especializados | 18829 |
IRFB3004GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2746 |
IRFB3004PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 25345 |
IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET Únicos | |
IRFB3004PBF MOS | IR | ICs Quentes Especializados | 660 |
IRFB3006 | IR | ICs Quentes Especializados | 32629 |
IRFB3006G | IR | ICs Quentes Especializados | 32764 |
IRFB3006GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 505 |
IRFB3006GPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET Únicos |
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