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IRFH5210TRPBF Especificações técnicas

IRFH5210TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 104W Tc
Power Dissipation 3.6W
Turn On Delay Time 7.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Ta 55A Tc
Rise Time 9.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Threshold Voltage 4V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 55A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
Length 5.9944mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9m Ω @ 33A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 838.2μm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFH5210TRPBF Documentos

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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