IRG8P08N120KD-EPBF Especificações técnicas

IRG8P08N120KD-EPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / IGBTs Individuais
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 89W
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 50 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/160ns
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Weight 6.500007g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code unknown
Input Type Standard
Max Collector Current 8A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Test Condition 600V, 5A, 47 Ω, 15V
Gate Charge 45nC
Switching Energy 300μJ (on), 300μJ (off)
Lead Free Lead Free
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IRG8P08N120KD-EPBF Documentos

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As seguintes peças incluem  'IRG8P' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IRG8P08N120KD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Único 2539
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